全球首次：杭州镓仁半导体实现 12 英寸氧化镓晶体等径生长

杭州镓仁半导体有限公司于9月14日通过官方渠道公布，依靠自主研发的SCIENCE系列VB法长晶设备，在全球范围内首次实现了12英寸氧化镓晶体的等径生长。

该公司指出，等径生长是晶体迈向产业化进程中的关键环节。唯有形成直径不变的等径段，晶锭才能拥有连续且稳定、可直接用于切割和加工的有效部分。等径段厚度越大，单根晶锭所能切出的合格衬底片数量就越多，从而降低每片衬底的成本。

此外，12英寸氧化镓衬底与主流的硅生产线高度兼容，能显著减少下游企业的设备投入与产线切换开支，并缩短研发时间。

IT之家注意到，今年3月，镓仁半导体已达成全球首次8英寸氧化镓同质外延生长，该成果获得了国内外第三方机构的官方认证。

官方称，镓仁半导体自研的SCIENCE系列VB法长晶设备，其温控精度达到±0.1℃，具备“设备加工艺包”的一体化能力，实现了从2英寸到12英寸晶体的快速更迭。

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